Good-Ark halfgeleider
- Inleiding
- Nieuwste Producten
Inleiding
Good-Ark halfgeleider
Nieuwste Producten
Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
BAS516 Nieuwe en originele voorraden |
Diode 75 de Oppervlakteonderstel zode-523 van V 250mA
|
|
|
|
||
BSS123 Chip Diode Nieuwe en originele voorraad |
N-Channel de Oppervlakteonderstel dronkaard-23 100 van V 190mA (Ta) 300mW (Ta)
|
|
|
|
||
BAT54C Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59,
|
|
|
|
||
BAT54S Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59, dron
|
|
|
|
||
BAV23S veld-effect transistor |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 250 de Oppervlakte van V 225mA zet aan-236-3, Sc-59, dro
|
|
|
|
||
BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 70 V 200mA Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
||
BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar serieschakeling 75 V 150mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
|
|
|
|
||
BAW56 veld-effect transistor nieuw en origineel |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke anode 70 V 200mA Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
||
BC807-40 Transistor met veldeffect |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
||
BC846B Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 300MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
|
|
|
||
BC856B Power Transistor nieuw en origineel |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 150MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
||
BC857C Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|