De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
- Inleiding
- Nieuwste Producten
Inleiding
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
Nieuwste Producten
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BAT54C Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 Electronic IC Chip Nieuwe en originele voorraad |
Diode 100 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 250mA
|
|
|
|
|
|
|
BC848B Variabele inductor Nieuwe en originele voorraad ROHS-certificering |
De bipolaire Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BAT-AELs voor de productie van hoogspanningsdioden |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet Sc-70,
|
|
|
|
|
|
|
BAT54A Nieuwe en originele voorraad hoogspanningsdioden |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Anode de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-2
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 Chip Diode Nieuwe en originele voorraad |
Diode 100 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 250mA
|
|
|
|
|
|
|
BAT54SW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet Sc-70,
|
|
|
|
|
|
|
BAT54W Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-323 van V 200mA
|
|
|
|
|
|
|
BC846B Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar serieschakeling 75 V 150mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
|
|
|
|
|
|
|
BC807-16 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC807-16W Transistor met veldeffect |
Bipolaire (BJT) transistor PNP 45 V 500 mA 80MHz 200 mW Opbouwmontage SOT-323
|
|
|
|
|
|
|
BC807-25 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC807-40 Transistor met veldeffect |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC817-16 Transistor met veldeffect |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC817-16W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire (BJT) transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 200 mW Opbouwmontage SOT-323
|
|
|
|
|
|
|
BC817-25 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 Transistor met veldeffect |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC846B Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC848B Hoogfrequentietransistor Nieuw en origineel |
De bipolaire Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC856B Hoogspanningstransistor Nieuw en origineel |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC857A Nieuwe en oorspronkelijke voorraad |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC857C Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC858B Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
|
|
|